Geçirgeç veya transistör girişine uygulanan sinyali yükselterek gerilim ve akım kazancı sağlayan, gerektiğinde anahtarlama elemanı olarak kullanılan yarı iletken bir elektronik devre elemanıdır. BJT (Bipolar Junction Transistor) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi (NPN) ya da iki P maddesi, bir N maddesi (PNP) birleşiminden oluşur. Transistör üç kutuplu bir devre elemanıdır. Devre sembolü üzerinde orta kutup beyz (B), okun olduğu kutup emiter (E), diğer kutup kollektör (C) olarak adlandırılır. Beyz akımının şiddetine göre kollektör ve emiter akımları ayarlanır. Bu ayar oranı kazanç faktörüne göre değişir. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda transistör bulunabilir.
Transistörler PNP ve NPN olarak 2 ye ayrılır.
NPN transistör özelliklerini
İnceleyecek olursak;
”NP” Emiter – Beyz diyodu
doğru polarlanır. ”PN” Beyz – Collector diyodu
ters polarlanır.NPN tipi transistörde uygulanan polarma gerilim: Emiter
N tipi kristaldir : Kristal yapıya uygun,
negatif (-) gerilim.
Beyz
P tipi kristaldir : Kristal yapıya uygun,
pozitif (+) gerilim.
Collector
N tipi kristaldir : Kristal yapıya ters,
pozitif (+) gerilim.
NPN transistör çalışması;
emiter ve collector bölgesindekielektronların büyük bölümü collector elektroduna doğru ve küçük bir bölümü de
yalnızca emiterden beyz elektroduna doğru akmaktadır. Elektron akışı dış
devrede de devam eder.
Bu akış IE, IB ve IC akımlarını yaratır.IE=IB+IC ‘dir.Bu bağıntı her çeşit devre kuruluşunda ve her transistör için geçerlidir.
Ancak
IB akımı
IC akımı yanında çok küçük kaldığından (IB=0.02 IC), pratik
hesaplamalarda
IB ihmal edilir.
IE = IC olarak alınır.
kısaca böyle bahsedebiliriz .
kaankandemir.wordpress.com